电子元件分销
PMPB12UN,115
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
部件编号：
PMPB12UN,115
制造商：
NXP Semiconductors
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
RoHS：
YES
PMPB12UN,115 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
包装/箱：
6-UDFN Exposed Pad
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 4.5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.9A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
供应商设备包：
6-DFN2020MD (2x2)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
886 pF @ 10 V
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