SI7983DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
SI7983DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
20V
配置：
2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大：
1.4W
包装/箱：
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8 Dual
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.7A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
17mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 600µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
74nC @ 4.5V
