SQJ968EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
SQJ968EP-T1_GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
资质：
AEC-Q101
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
60V
包装/箱：
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8 Dual
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TA)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
23.5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
33.6mOhm @ 4.8A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
18.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
714pF @ 30V
功率 - 最大：
42W (Tc)
