EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
EPC2108 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
技术：
GaNFET (Gallium Nitride)
包装/箱：
9-VFBGA
配置：
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.7A, 500mA
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
供应商设备包：
9-BGA (1.35x1.35)
漏源电压 (Vdss)：
60V, 100V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
