SI6975DQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
SI6975DQ-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备包：
8-TSSOP
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 P-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
12V
功率 - 最大：
830mW
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
30nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.3A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
450mV @ 5mA (Min)
