SIZF906DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
SIZF906DT-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TA)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerWDFN
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
60A (Tc)
供应商设备包：
8-PowerPair® (6x5)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
功率 - 最大：
38W (Tc), 83W (Tc)
