SIZ910DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
SIZ910DT-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerWDFN
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1500pF @ 15V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
40nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
40A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
5.8mOhm @ 20A, 10V
供应商设备包：
8-PowerPair® (6x5)
功率 - 最大：
48W, 100W
