SI9926CDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
SI9926CDY-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
8A
功率 - 最大：
3.1W
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1200pF @ 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
33nC @ 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
18mOhm @ 8.3A, 4.5V
