SI4963BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
SI4963BDY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
20V
配置：
2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大：
1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.9A
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
21nC @ 4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
32mOhm @ 6.5A, 4.5V
