SI4933DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8SOIC
SI4933DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大：
1.1W
漏源电压 (Vdss)：
12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.4A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
14mOhm @ 9.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 500µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
70nC @ 4.5V
