SI4908DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC
SI4908DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5A
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
12nC @ 10V
功率 - 最大：
2.75W
Rds On（最大）@Id、Vgs：
60mOhm @ 4.1A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
355pF @ 20V
