SI4569DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
SI4569DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
配置：
N and P-Channel
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
40V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
32nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7.6A, 7.9A
Rds On（最大）@Id、Vgs：
27mOhm @ 6A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
855pF @ 20V
功率 - 最大：
3.1W, 3.2W
