SQ3419EEV-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
SQ3419EEV-T1-GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Package / Case：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package：
6-TSOP
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type：
P-Channel
Vgs (Max)：
±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 4.5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
7.4A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1065 pF @ 20 V
