BSZ018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
BSZ018NE2LSIATMA1 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Package / Case：
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)：
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
36 nC @ 10 V
Supplier Device Package：
PG-TSDSON-8-FL
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
22A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2500 pF @ 12 V
