IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
IXFN82N60Q3 Specifications
Mounting Type：
Chassis Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Package / Case：
SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package：
SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss)：
600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
275 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
960W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
13500 pF @ 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
66A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
6.5V @ 8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
75mOhm @ 41A, 10V
