SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
SQJ469EP-T1_GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
6V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss)：
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
32A (Tc)
Supplier Device Package：
PowerPAK® SO-8
Package / Case：
PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max)：
100W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
155 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 10.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5100 pF @ 40 V
