SI3442BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
SI3442BDV-T1-GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Package / Case：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package：
6-TSOP
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
3A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5 nC @ 4.5 V
Power Dissipation (Max)：
860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
57mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
295 pF @ 10 V
