SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
SIS434DN-T1-GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
Supplier Device Package：
PowerPAK® 1212-8
Package / Case：
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
35A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1530 pF @ 20 V
