SIR460DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIR460DP-T1-GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.4V @ 250µA
Supplier Device Package：
PowerPAK® SO-8
Package / Case：
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
54 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4.7mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2071 pF @ 15 V
