SI7862ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
SI7862ADP-T1-GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)：
±8V
Supplier Device Package：
PowerPAK® SO-8
Package / Case：
PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
80 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
3mOhm @ 29A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
7340 pF @ 8 V
