SI7738DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
SI7738DP-T1-E3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
150 V
Supplier Device Package：
PowerPAK® SO-8
Package / Case：
PowerPAK® SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
30A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2100 pF @ 75 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
38mOhm @ 7.7A, 10V
