SI7322DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
SI7322DN-T1-E3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package：
PowerPAK® 1212-8
Package / Case：
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
58mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
750 pF @ 50 V
