SI7230DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
SI7230DN-T1-E3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
9A (Ta)
Supplier Device Package：
PowerPAK® 1212-8
Package / Case：
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 14A, 10V
