SI4836DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
SI4836DY-T1-E3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Supplier Device Package：
8-SOIC
Package / Case：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
17A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
75 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
400mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
3mOhm @ 25A, 4.5V
