SI3433BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
SI3433BDV-T1-GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Package / Case：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package：
6-TSOP
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type：
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
18 nC @ 4.5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
850mV @ 250µA
