SI2341DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SI2341DS-T1-E3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type：
P-Channel
Package / Case：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
2.5A (Ta)
Supplier Device Package：
SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
710mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
400 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
72mOhm @ 2.8A, 10V
