SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SI2337DS-T1-GE3 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
6V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Type：
P-Channel
Package / Case：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)：
80 V
Supplier Device Package：
SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
17 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
270mOhm @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
500 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
