NVD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
NVD6415ANLT4G Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Grade：
Automotive
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Package / Case：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package：
DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
23A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
52mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1024 pF @ 25 V
